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JFETを定電流ダイオードとして使う

JFETのゲートとソースを結合すると、ドレイン⇒ソース方向の定電流素子として利用できる。

しかし、所望する電流に応じて各種のFETを用意する必要がある。
ふと、大昔、真空管で自己バイアスという方式があったのを思い出した。
それをJFETでもやってみた。
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Rの両端の電位差分だけマイナスのバイアスがかかって、電流が減る。
2SK30ATMを使ってやってみた。
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【クリックすると拡大します】

縦軸はFETを流れる電流(μA)、横軸は上記回路の両端に印加した電圧(V)。
(ゼロΩの値は1/2にしてある)。
1.5V以上であれば良好な定電流素子として利用できる。
(多少の変動を許容できるのなら1Vから利用できる)

電池駆動の回路では重宝な素子だと分かった。

2SK194でもやってみたが、2V以上必要だ。
また、定電流ダイオード(8mA)も試してみたが、2.5V以上必要で、おまけに定電流性も悪い。

JFETの方が断然高性能だ。


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